输入类型;DC

最大集电极/发射极电压：80 V

最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V

绝缘电压：3750 Vrms

电流传递比：200 % to 400 %

最大正向二极管电压：1.4 V

最大功率耗散：200 mW

最大工作温度：+ 110 C

最小工作温度：- 55 C

封装 / 箱体：SOP-4

封装：Reel

商标：Toshiba

正向电流：50 mA

最大下降时间：3 us

最大反向二极管电压：5 V

最大上升时间：2 us

每芯片的通道数量：1 Channel

输出设备：Phototransistor

工厂包装数量:3000